安费诺amphenol连接器

NVMe NANDrive BGA封装的固态硬盘样品，以满足其用户在高压力、严苛工作环境的嵌入式应用中要求高可靠、高性能的数据存储需求。NVMe NANDrive固态硬盘工作温度-40oC至+95oC，支持PCIe Gen3x4接口，采用行业标准的M.2 1620（16 x 20mm，291球）BGA封装。欲了解更多NVMe NANDrive 产品信息，请访问https://bit.ly/NVMe-BGA-SSD。
安费诺amphenol连接器这些模块具有 2k VDC/1 min 功能型隔离（对于 REC10K 系列，则为 1.6k VDC/1 min），符合 IEC/EN/UL62368-1 标准，降额时可在 -40°C 至 +105°C 的环境温度下工作（ REC10K 降额时的工作温度范围为 -40°C 至 100°C）。使用规格书中指定的外部滤波器，传导 EMC 可以符合“A 级和 B 级”水平。
运营商多可连接五个XT机架，以扩展多达200个完全冗余的T1/E1/CC 通信输出。所有配置、状态监控和报警报告均通过 TimeProvider 4100主时钟完成。这一新解决方案使运营商能够将关键的频率、授时和相位要求整合到现代化平台，从而节省维护和服务成本。

1200 V碳化硅(SiC) MOSFET，采用D2PAK-7表面贴装器件(SMD)封装，有30、40、60和80 mΩ RDSon值可供选择。这是继Nexperia于2023年底发布两款采用3引脚和4引脚TO-247封装的SiC MOSFET分立器件之后的又一新产品，它将使其SiC MOSFET产品组合迅速扩展到包括RDSon值为17、30、40、60和80 mΩ 且封装灵活的器件。
　　SignalVu 5.4 版支持多 8 个信号源的并行分析，同时提升了工程师的洞察力和工作效率。新版软件可解决多信号、多标准和多被测设备 (DUT) 场景的复杂需求，真正成为了现代射频以及无线研究和开发不可或缺的工具。
安费诺amphenol连接器　Pasternack 新型连续可变衰减器的额定功率分别为5W和10W，工作频率可达18 GHz，衰减水平高达50 dB。
　　新型可变移相器的频率可达2 GHz、4 GHz和8 GHz，额定功率为 100W。这些可变移相器的可调相位有60°/GHz、90°/GHz和180°/GHz。
双层铝基板结构、传导冷却功率磁体和高效零电压开关（ZVS）拓扑结合在一起，确保了产品的高水平的效率和优异的热性能。因此，在对流冷却情况下功率可高达300W，传导冷却情况下可达到400W，从而实现密封环境下的运行、静音运行和高可靠性。
　　A6983转换器为设计人员提供灵活的产品选型，该系列包括六款低功耗、低噪声非隔离型降压转换器和一款隔离型降压转换器A6983I。这些高集成度的单片稳压器内置补偿电路，在实际应用中只需要很少的外部组件，包括滤波器和反馈器件，在用A6983I开发应用时需要一个变压器。

　　对于那些只需要高速网络连接的用户，HatNET则是一个理想的选择。它放弃了对NVMe存储的支持，专注于利用单个2.5 Gb以太网端口提供高速连接。与HatDrive NET 1G一样，HatNET的端口可以补充树莓派 5内置的千兆位以太网端口，从而允许设备同时连接到两个网络。
安费诺amphenol连接器功能更强大的 GB200 集成了一个 Grace CPU 和两个 B200 GPU，预计售价在 60,000 美元至 70,000 美元之间。但是，需要注意的是，这些只是分析师的估计，实际成本可能会高得多。
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