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目前的趋势是把更多工作任务下沉到通常部署在物联网边缘的智能设备上，对这些设备提出了响应更快、能效更高的要求，我们的嵌入式 MPUs专为这种趋势设计。我们今天发布的STM32MP2新品扩展了性能轨迹，引入了我们强大的处理器引擎，现在更增添了边缘 AI加速器，并且得到STM32 生态系统的支持，从而加快产品开发周期。
molex连接器代理商 Marktech MTMD142345PDT38 多 LED 光电二极管组合MTMD142345PDT38 具有五个尺寸为 1.04、1.2、1.3、1.46 和 1.55μm 的 LED，以及一个在 600 – 1,750nm 范围内敏感的 InGaAs 光电二极管，所有这些均可单独寻址并密封在 TO-5 金属罐中。
SiHR080N60E采用小型PowerPAK 8 x 8LR封装，外形尺寸为10.42 mm x 8 mm x 1.65 mm，占位面积比D2PAK封装减小50.8 %，高度降低66 %。由于封装采用顶侧冷却，因此具有出色的热性能，结壳（漏极）热阻仅为0.25 C/W。相同导通电阻下，额定电流比D2PAK封装高46 %，从而显著提高功率密度。此外，封装的鸥翼引线结构具有优异的温度循环性能。
MLX90427还配备高精度的模拟数字转换器（ADC）、强大数字信号处理器（DSP）来辅助处理信号任务，以及用于SPI信号输出的输出级驱动芯片。
GD32E235系列MCU采用Arm Cortex-M23内核，主频达到72MHz，配备了16KB到128KB的嵌入式闪存及4KB到16KB的SRAM，存储容量基于GD32E230系列扩充，能够满足如通讯模块、图形显示、无线探测器等应用场景对于存储空间的扩展需求。该系列产品集成了多个通用接口，包括2个USART、2个SPI、2个I2C、1个I2S。还提供了1个12位ADC、1个比较器等模拟外设，其中ADC性能相较GD32E230优化提升，增强了稳定性及一致性，适用于混合信号处理和电机控制等工业应用需求。并配备了5个16位通用定时器、1个16位定时器和1个16位基本定时器。GD32E235系列MCU凭借出色的静电防护和抗干扰能力，能够满足极端环境或严苛条件下对于产品高可靠性的要求。
molex连接器代理商近日推出新型低漏电流开关解决方案，面向半导体测试，如WAT晶圆验收测试中的低电流驱动保护测量。新款产品基于开关随动保护层(switched guard)设计原理，提供PXI, PXIe和LXI版本，整体设计确保隔离电阻高达1013Ω。
为解决这一问题，ROHM成功开发出一款新型热敏打印头——KR2002-Q06N5AA。这款打印头兼容单节锂离子电池（3.6V）驱动，不仅实现了高性能打印，还节能约30%。
Infinite Electronics 旗下品牌，业界领先的射频、微波和毫米波产品供应商 Pasternack 扩充了一系列40GHz固定射频衰减器，配有2.92 mm连接器，可降低各种应用中的信号振幅。
还可以根据特殊订单安装 Atom x7000E 或 Core i3 N 系列，并且该主板将从 2025 年第一季度开始与 Atom x7000RE（Amston Lake）CPU 兼容。
molex连接器代理商 三星Galaxy Z Fold6在升级用户工作方式的同时，还为用户带来更为精彩的大屏体验。内屏采用了升级的窄边框设计，拥有更大的可视范围和操作空间，而高达2,600尼特的屏幕峰值亮度搭配Vision Booster技术，更带来了全场景的清晰显示效果。另外，高性能的芯片组集成了同品类中出众的CPU、GPU和NPU，为复杂的多任务处理、AI运算提供了有力支持。此外，在相比上代产品1.6倍大的VC均热板、光线追踪技术与升级的游戏助推器的高效协同下，还能够为用户呈现出逼真的画质和自如的操控，令大屏游戏体验更上一层楼。
纳微发布的4.5kW高功率密度AI服务器电源参考设计，其采用了型号为G3F45MT60L（额定电压为650V、40mΩ，TOLL封装）的GeneSiC G3F FETs，用于交错CCM TP PFC拓扑上。与LLC上使用型号为NV6515（额定电压650V，35mΩ，TOLL封装）的GaNSafe?
STEVAL-WBC2TX50电能发射板采用意法半导体超级充电(STSC)协议，输出功率高达50W。STSC是意法半导体独有的无线充电协议，充电速度高于智能手机和类似设备所用的标准无线充电协议，可以给更大的电池充电，而且充电速度更快。该板还支持Qi 1.3 5W Baseline Power Profile (BPP)和15W Extended Power Profile (EPP)两种充电模式。意法半导体的STWBC2-HP电能发射系统封装是板载主要芯片，整合了STM32G071 Arm?Cortex?-M0微控制器和射频专用前端。