安波福线束

　　与上一代OptiMOS 3相比，OptiMOS6 200 V产品组合具有更加强大的技术特性，其RDS(on)降低了42%，有助于减少传导损耗和提高输出功率。在二极管性能方面，OptiMOS6 200 V的软度大幅提升至OptiMOS 3的三倍多，且 Qrr(typ)降低了 89%，使开关和 EMI 性能均得到明显改善。该技术还提升了寄生电容线性度（Coss 和 Crss），减少了开关期间的振荡并降低了电压过冲。更紧密的 VGS(th) 分布和低跨导特性有助于MOSFET并联和电流共享，使温度变得更加均匀且减少了并联MOSFET的数量。
安波福线束　　三星计划通过向移动处理器生产商，和移动设备制造商供应0.65mm的LPDDR5X DRAM芯片，继续扩大低功耗DRAM的市场。随着市场对高性能、高密度且封装尺寸更小的移动存储解决方案的需求持续增长，三星计划开发6层24GB和8层32GB的模组，为未来设备打造超薄的LPDDR DRAM封装。
　　MLX90427是迈来芯推出的新一代磁性位置检测芯片。该产品凝聚迈来芯在汽车霍尔效应传感领域的丰富知识和技术积累，旨在为汽车行业当下和未来的技术要求提供理想的解决方案。MLX90427的核心在于其先进的Triaxis?霍尔磁传感元件，能够精准地感知并测量磁通密度的三个分量（Bx、By和Bz），确保无论磁铁在何种方向上移动，都能被芯片准确捕捉。

　　Gemini 是 Pixel 智能手机上的 AI 助手，它与 Google 应用“深度集成”，支持 Pro 机型上的 Gemini Live。Gemini Live 需要 Gemini Advanced 订阅，并提供“移动对话体验”，以便与 AI 进行“自由对话”。Pixel 用户可以使用文本、图像或语音与 Gemini 交流。Pixel Studio 是一款新应用，具有设备内置图像生成器，可使用基于文本的提示创建贴纸和图像。
　　为满足客户对更大更快的 SRAM 的普遍需求，Microchip Technology（微芯科技公司）扩展了旗下串行SRAM产品线，容量可达4 Mb，并将串行外设接口/串行四通道输入/输出接口（SPI/SQI）的速度提高到143 MHz。新产品线包括提供2 Mb和4 Mb两种不同容量的器件，旨在为传统的并行SRAM产品提供成本更低的替代方案，并在SRAM存储器中包含可选的电池备份切换电路，以便在断电时保留数据。
安波福线束　　数字化时代的高速发展要求推动未来技术创新的数据存储也持续迭代革新。为满足用户对于高性能、高可靠性、更大容量及更低成本的多样化存储需求，西部数据公司（NASDAQ：WDC）近日宣布推出搭载下一代高性能QLC（四级单元）的西部数据? PC SN5000S NVMe? SSD，从而为 PC OEM 厂商提供创新的PCIe Gen4x4 存储解决方案，帮助用户轻松应对繁重的工作负载。
我们致力于帮助支持需要低功耗、高性能FPGA结构的嵌入式系统的发展。PolarFire SoC Discovery工具包是我们为各种应用创造更易用、智能、安全和高性能计算解决方案的关键一步。借助新款Discovery工具包，经验丰富的设计工程师、新手以及大学生都可以使用低成本的RISC-V和FPGA开发平台进行学习和快速创新。
　　用户现在可申请 CGD 新型 P2 系列 ICeGaN 功率 IC 样品。该系列包括四款 RDS(on)产品为25 mΩ和55 mΩ，额定电流为60 A和27 A的产品。产品采用10 mm x 10 mm封装 DHDFN-9-1和 BHDFN-9-1（底部散热器DFN）封装。与所有CGD ICeGaN产品一样，P2系列可以使用任何标准 MOSFET 或 IGBT 驱动器进行驱动。

　　全新CoolSiC MOSFET 750 V G1产品系列在25°C时的RDS(on)为8至140 mΩ，可满足广泛的需求。其在设计上具有较低的传导和开关损耗，大幅提升了整体系统效率。创新的封装更大程度地减少了热阻、帮助改善散热并优化电路内功率环路电感，在实现高功率密度的同时降低了系统成本。值得一提的是，该产品系列采用了先进的QDPAK顶部冷却封装。
安波福线束即日起开售英飞凌公司的CoolSiC G2 MOSFET。CoolSiC G2 MOSFET系列采用新一代碳化硅 (SiC) MOSFET沟槽技术，开启了电力系统和能量转换的新篇章，适用于光伏逆变器、能量储存系统、电动汽车充电、电源和电机驱动应用。
出样业界容量密度的新一代 GDDR7 显存。1 美光 GDDR7 采用美光的 1β（1-beta）DRAM 技术和创新架构，以优化的功耗设计打造了速率高达 32 Gb/s 的高性能内存。
　这些高可靠性器件的测试条件符合 DO-160 《机载设备的环境条件和测试程序》，具有多种保护功能，包括击穿检测、短路保护、失饱和保护、欠压锁定（UVLO）和有源miller钳位。