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作为市面上第一款击穿电压达到2000 V的碳化硅分立器件，CoolSiC MOSFET采用TO-24 阅读更多…

　　与上一代OptiMOS 3相比，OptiMOS6 200 V产品组合具有更加强大的技术特性，其R 阅读更多…